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FDD6512A、HUF76013D3ST、CSD15571Q2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6512A HUF76013D3ST CSD15571Q2

描述 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道 20V 20A20V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD15571Q2

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 6

封装 TO-252-3 TO-252-3 WSON-FET-6

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.8 W 50 W 2.5 W

阈值电压 - - 1.45 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 20.0 A 22A

上升时间 8 ns - 17.2 ns

输入电容(Ciss) 1082pF @10V(Vds) 624pF @20V(Vds) 419pF @10V(Vds)

下降时间 8 ns - 4.1 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 43W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 36.0 A 20.0 A -

漏源极电阻 16.0 mΩ 18.0 mΩ -

输入电容 1.08 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±20.0 V -

额定功率(Max) 1.6 W 50 W -

长度 6.73 mm - 2 mm

宽度 6.22 mm - 2 mm

高度 2.39 mm - 0.75 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 WSON-FET-6

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown 正在供货

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -