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CSD15571Q2

CSD15571Q2

TI(德州仪器) 分立器件

20V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD15571Q2

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

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超低 Qg和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化
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存储、平板电脑和手持类器件
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针对控制场效应 FET 应用进行了优化
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负载点同步降压转换器
CSD15571Q2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.45 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 17.2 ns

输入电容Ciss 419pF @10VVds

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-FET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WSON-FET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD15571Q2引脚图与封装图
CSD15571Q2引脚图

CSD15571Q2引脚图

CSD15571Q2封装图

CSD15571Q2封装图

CSD15571Q2封装焊盘图

CSD15571Q2封装焊盘图

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