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BSS63、BSS63LT1G、BSS63,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS63 BSS63LT1G BSS63,215

描述 BSS63 PNP三极管 -110V -100mA/-0.1A 50~95MHz 30 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 BM 高电压ON SEMICONDUCTOR  BSS63LT1G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 95 MHz, 225 mW, -100 mA, 30 hFEBSS63 系列 100 V 100 mA 表面贴装 PNP 高压 晶体管 - SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 95 MHz 85 MHz

额定电压(DC) - -100 V -

额定电流 - -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 3

极性 - PNP PNP

耗散功率 350 mW 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 1V 30 @25mA, 1V 30 @25mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - 30 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 250 mW

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.93 mm 1.11 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -