CY7C1423AV18-300BZXC、CY7C1423KV18-300BZXC、CY7C1423KV18-300BZXCT对比区别

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型号 CY7C1423AV18-300BZXC CY7C1423KV18-300BZXC CY7C1423KV18-300BZXCT

描述 36兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst ArchitectureDDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA FBGA-165 FBGA-165

引脚数 - 165 165

电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) - -

时钟频率 300MHz (max) 300 MHz -

存取时间 300 µs 0.45 ns -

内存容量 36000000 B - -

位数 - 18 18

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

封装 FBGA FBGA-165 FBGA-165

高度 - 0.89 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray, Bulk Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅