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2SK2750、FQPF4N25、STP4NC60对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK2750 FQPF4N25 STP4NC60

描述 TO-220NIS N-CH 600V 3.5A250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN沟道600V - 1.8ohm - 4.2A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

漏源极电阻 - - 2.20 Ω

耗散功率 - 32W (Tc) 100 W

上升时间 - - 14 ns

输入电容(Ciss) - 200pF @25V(Vds) 475pF @25V(Vds)

下降时间 - - 19 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - 32W (Tc) 100000 mW

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 250 V -

连续漏极电流(Ids) 3.5A 2.8A -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tube, Rail - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -