FQPF4N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF4N25中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 32W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 2.8A
输入电容Ciss 200pF @25VVds
耗散功率Max 32W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQPF4N25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF4N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF4N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-CH 250V 2.8A | 当前型号 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： 2SK2750 品牌： 东芝 封装： TO-220NIS N-CH 600V 3.5A | 功能相似 | TO-220NIS N-CH 600V 3.5A | FQPF4N25和2SK2750的区别 |
| 型号： SSS7N60 品牌： 三星 封装： | 功能相似 | N-CH 600V 4A | FQPF4N25和SSS7N60的区别 |