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IPP77N06S3-09、MTB75N05HDT4、MTB75N05HD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP77N06S3-09 MTB75N05HDT4 MTB75N05HD

描述 OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-TransistorTMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS RDS(on) = 9.5mΩD2PAK N-CH 50V 75A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - D2PAK-263

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 77.0 A - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 107W (Tc) - -

输入电容 5.34 nF - -

栅电荷 103 nC - -

漏源极电压(Vds) 55 V - 50 V

连续漏极电流(Ids) 77.0 A - 75A

上升时间 51 ns - 170 ns

输入电容(Ciss) 5335pF @25V(Vds) - 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 107 W - -

下降时间 51 ns - 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 107W (Tc) - 2500 mW

封装 TO-220-3 - D2PAK-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 - EAR99 -