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KSH2955、MJD31T4G、MJD2955对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH2955 MJD31T4G MJD2955

描述 通用放大器低速切换应用D- PAK表面贴装应用 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount ApplicationsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Power Bipolar Transistor,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Taitron

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 -

引脚数 - 3 -

极性 PNP NPN, PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 40 V -

集电极最大允许电流 10A 3A -

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 3.00 A -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 15 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @3A, 4V -

额定功率(Max) - 1.56 W -

直流电流增益(hFE) - 10 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1560 mW -

封装 DPAK TO-252-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -