STW19NM50N、STW25N95K3、IXTH21N50对比区别

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型号 STW19NM50N STW25N95K3 IXTH21N50

描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 VTO-247AD N-CH 500V 21A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.2 Ω 0.32 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 400 W 300 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 14A - 21A

上升时间 16 ns 29 ns -

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 3680pF @100V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 400 W 300 W

下降时间 17 ns 59 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 400W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 3 -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定功率 - - 300 W

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -