STW48N60M2、STW48NM60N、FCH47N60N对比区别

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型号 STW48N60M2 STW48NM60N FCH47N60N

描述 N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.0515 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.07 Ω 0.055 Ω 0.0515 Ω

耗散功率 300 W 255 W 368 W

阈值电压 2 V 3.2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 17 ns 18 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 3060pF @100V(Vds) 4285pF @50V(Vds) 6700pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 255 W 368 W

下降时间 119 ns 25.5 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 330W (Tc) 368W (Tc)

极性 - N-Channel N-Channel

连续漏极电流(Ids) - - 47A

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容 - 4285 pF -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm 15.95 mm

宽度 - 5.15 mm 5.03 mm

高度 - 20.15 mm 20.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -