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STW48NM60N

STW48NM60N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW48NM60N, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 600V 44A


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MOSFET N-CH 600V 44A TO247


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MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II


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MOSFET N-CH 600V 39A TO-247


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STW48NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 255 W

阈值电压 3.2 V

输入电容 4285 pF

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4285pF @50VVds

额定功率Max 255 W

下降时间 25.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

STW48NM60N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STW48NM60N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V 搜索库存
替代型号STW48NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW48NM60N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V

当前型号

型号: STW48N60M2

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3

类似代替

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STW48NM60N和STW48N60M2的区别

型号: FCH47N60N

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-247 N-Channel 600V 47A

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