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STW48N60M2

STW48N60M2

数据手册.pdf

N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3

N-Channel 600V 42A Tc 300W Tc Through Hole TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 600V 42A TO247


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N沟道 600V 42A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, 通孔


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Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin TO-247 Tube


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TO 247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247


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Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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**N-CH 600V 42A 70mOhm TO247-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247


STW48N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 3060pF @100VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 119 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW48N60M2引脚图与封装图
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在线购买STW48N60M2
型号 制造商 描述 购买
STW48N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3 搜索库存
替代型号STW48N60M2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW48N60M2

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247-3

当前型号

N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3

当前型号

型号: STW48NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel

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