IPB039N04LGATMA1、IPB80N04S3-H4、NP80N04PUG-E1B-AY对比区别

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型号 IPB039N04LGATMA1 IPB80N04S3-H4 NP80N04PUG-E1B-AY

描述 D2PAK N-CH 40V 80A的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

耗散功率 94W (Tc) - 1.8W (Ta), 115W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 6100pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds) 7350pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 94W (Tc) 115000 mW 1.8W (Ta), 115W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 80A 80A -

上升时间 5.4 ns 12 ns -

额定功率(Max) - 115 W -

下降时间 6 ns 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -