IPB80N04S3-H4
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB80N04S3-H4中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3900pF @25VVds
额定功率Max 115 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPB80N04S3-H4引脚图与封装图
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在线购买IPB80N04S3-H4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB80N04S3-H4 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB80N04S3-H4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB80N04S3-H4 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 40V 80A | 当前型号 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 当前型号 |
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