IPB039N04LGATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 40V 80A

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 94W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

IPB039N04LGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 94W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 5.4 ns

输入电容Ciss 6100pF @25VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPB039N04LGATMA1引脚图与封装图

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替代型号IPB039N04LGATMA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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