BDV65、BDV65A、BDV64BG对比区别
描述 t-Npn Si- High Pwr DarlNPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONSON SEMICONDUCTOR BDV64BG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件电流滤波器件双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
封装 - SOT-93 TO-247-3
引脚数 - - 3
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 1000 @5A, 4V
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - -10.0 A
针脚数 - - 3
极性 - - PNP, P-Channel
耗散功率 - - 125 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 100 V
集电极最大允许电流 - - 10A
额定功率(Max) - - 125 W
直流电流增益(hFE) - - 1000
耗散功率(Max) - - 125000 mW
长度 - 15.2 mm 15.2 mm
宽度 - 4.9 mm 4.9 mm
高度 - 12.2 mm 12.2 mm
封装 - SOT-93 TO-247-3
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99