额定电压DC -100 V
额定电流 -10.0 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
高度 12.2 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BDV64BG | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BDV64BG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BDV64BG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-218 PNP -100V -10A 125000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BDV64BG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE | 当前型号 |
| 型号： TIP147G 品牌： 安森美 封装： TO-218 PNP -100V -10A 125000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP147G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 500 hFE 新 | BDV64BG和TIP147G的区别 |
| 型号： BDV65BG 品牌： 安森美 封装： TO-218 NPN 100V 10A 125000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BDV65BG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE | BDV64BG和BDV65BG的区别 |
| 型号： BDW83C 品牌： 意法半导体 封装： TO-218 NPN 100V 15A 130000mW | 功能相似 | 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | BDV64BG和BDW83C的区别 |
