FQB33N10LTM、STP120NF10、STB40NF10LT4对比区别

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型号 FQB33N10LTM STP120NF10 STB40NF10LT4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB33N10LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.039 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 33.0 A 120 A 40.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.039 Ω 0.009 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 127 W 312 W 150 W

阈值电压 2 V 4 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 110 A 40.0 A

上升时间 470 ns 90 ns 82 ns

输入电容(Ciss) 1630pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.75 W 312 W 150 W

下降时间 120 ns 68 ns 24 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 3.75 W 312000 mW 150W (Tc)

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 9.65 mm 4.6 mm 9.35 mm

高度 4.83 mm 9.15 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -