FQB33N10LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB33N10LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 33.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
上升时间 470 ns
输入电容Ciss 1630pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB33N10LTM引脚图与封装图
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在线购买FQB33N10LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB33N10LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB33N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.039 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FQB33N10LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB33N10LTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263AB N-Channel 100V 33A 52mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB33N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.039 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQB33N10LTM和STP80NF10的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQB33N10LTM和STD18N55M5的区别 |
| 型号： STP120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | FQB33N10LTM和STP120NF10的区别 |