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LM358D、LM358DRG4、LM358DR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM358D LM358DRG4 LM358DR2G

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM358D  芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8双运算放大器 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 32V - 3V ~ 32V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 30mA @15V - 40 mA

供电电流 1 mA 1 mA 1.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 65 dB 65 dB 70 dB

带宽 700 kHz 700 kHz 1 MHz

转换速率 300 mV/μs 300 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 700 kHz 700 kHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.7 MHz 0.7 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - 3V ~ 30V 3V ~ 32V

电源电压(Max) - - 32 V

电源电压(Min) - - 3 V

输入电压 - - 0V ~ 28.3V

输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -