DTA113ZE、PDTA113ZE,115、PDTA113ZE对比区别

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型号 DTA113ZE PDTA113ZE,115 PDTA113ZE

描述 PDTA113Z series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm SC-75 3-PinSC-75 PNP 50V 100mAPNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦， R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-416 SOT-416-3 SOT-416

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 5V 35 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW 150 mW

封装 SOT-416 SOT-416-3 SOT-416

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free