BC307B、MPSW56、BC307BRL1G对比区别

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型号 BC307B MPSW56 BC307BRL1G

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 - - 280 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -80.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -1.00 A -100 mA

极性 - - PNP

耗散功率 - - 350 mW

增益频宽积 - - 280 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 80 V 45 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 50 @250mA, 1V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 1 W 350 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 350 mW

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99