MPSW56
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MPSW56中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 50 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW56引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPSW56
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW56 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-226 -80V -1A | 当前型号 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： KST56MTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -80V -500mA 350mW | 功能相似 | PNP外延硅晶体管驱动晶体管补充型KST06 | MPSW56和KST56MTF的区别 |
| 型号： MPSW56RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -80V -500mA 1W | 功能相似 | NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MPSW56和MPSW56RLRAG的区别 |
| 型号： BC307B 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 -45V -100mA | 功能相似 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | MPSW56和BC307B的区别 |