BC307BRL1G中文资料参数规格
技术参数
频率 280 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 350 mW
增益频宽积 280 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC307BRL1G引脚图与封装图
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在线购买BC307BRL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC307BRL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC307BRL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC307BRL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -45V -100mA 350mW | 当前型号 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC307B 品牌： 安森美 封装： TO-92 -45V -100mA | 类似代替 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | BC307BRL1G和BC307B的区别 |
| 型号： BC557BTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -100mA 500mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC557BTA 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE | BC307BRL1G和BC557BTA的区别 |
| 型号： BC557BTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -100mA 500mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC557BTF 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE | BC307BRL1G和BC557BTF的区别 |