STW20NM50FD、STW26NM50、STW20NM50对比区别

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型号 STW20NM50FD STW26NM50 STW20NM50

描述 STMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 550 V

额定电流 20.0 A 30.0 A 20.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.25 Ω 0.12 Ω 250 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 214 W 313 W 214 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 30.0 A 20.0 A

上升时间 20 ns 15 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 1380pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 214 W 313 W 214 W

下降时间 15 ns 19 ns 8.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 214W (Tc) 313W (Tc) 214W (Tc)

漏源击穿电压 500 V - 550 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

通道数 1 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.75 mm - 15.75 mm

宽度 5.15 mm - 5.15 mm

高度 20.15 mm - 20.15 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -