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STW20NM50FD

STW20NM50FD

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 500 V 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3


立创商城:
N沟道 500V 20A


贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V


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Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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N-沟道 500 V 0.25 Ohm 法兰安装 FDmesh 功率 MosFet - TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247


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Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247


STW20NM50FD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1380pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

STW20NM50FD引脚图与封装图
STW20NM50FD引脚图

STW20NM50FD引脚图

STW20NM50FD封装图

STW20NM50FD封装图

STW20NM50FD封装焊盘图

STW20NM50FD封装焊盘图

在线购买STW20NM50FD
型号 制造商 描述 购买
STW20NM50FD ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW20NM50FD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW20NM50FD

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 500V 20A 220mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STW23NM50N

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel

类似代替

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STW20NM50FD和STW23NM50N的区别

型号: STW26NM50

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 500V 30A 120mΩ

类似代替

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STW20NM50FD和STW26NM50的区别

型号: STP20NM50

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 550V 20A 250mΩ

类似代替

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STW20NM50FD和STP20NM50的区别