STW20NM50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 550 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 214 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 550 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1480pF @25VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STW20NM50引脚图与封装图 
STW20NM50引脚图
STW20NM50封装图
STW20NM50封装焊盘图
在线购买STW20NM50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW20NM50 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号STW20NM50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW20NM50 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 550V 20A 250mohms | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STW20NM50FD 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 20A 220mΩ | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V | STW20NM50和STW20NM50FD的区别 |
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