FDFS6N303、FDS4953、FDS9926A对比区别
描述 N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky DiodeFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V -30.0 V 20.0 V
额定电流 6.00 A -5.00 A 6.50 A
漏源极电阻 35.0 mΩ 55 mΩ 0.025 Ω
极性 N-Channel P-Channel, Dual P-Channel Dual N-Channel
耗散功率 900mW (Ta) 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A -5.00 A 6.50 A
上升时间 12.0 ns 13 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 350pF @15V(Vds) 528pF @15V(Vds) 650pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 900 mW 900 mW
耗散功率(Max) 900mW (Ta) 2 W 2000 mW
通道数 - 2 2
针脚数 - 8 8
输入电容 - 528 pF 650 pF
栅电荷 - 6.00 nC 6.20 nC
下降时间 - 9 ns 4 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 - - 1 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR