FDFS6N303
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDFS6N303中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 900mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 350pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDFS6N303引脚图与封装图
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在线购买FDFS6N303
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDFS6N303 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号FDFS6N303
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDFS6N303 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 6A 35mohms | 当前型号 | N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky Diode | 当前型号 |
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