FDS4953
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4953中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -5.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 55 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 528 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 528pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4953引脚图与封装图
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在线购买FDS4953
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4953 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS4953
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4953 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V -5A 55mohms 528pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V | 当前型号 |
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