R6008FNX、STP8NM60D、STB8NM60T4对比区别

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型号 R6008FNX STP8NM60D STB8NM60T4

描述 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFETN沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB8NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N N-CH N-Channel

耗散功率 50 W 100 W 100 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 8A 8A 5.00 A

上升时间 25 ns 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 580pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 100 W 100 W

下降时间 30 ns 8 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 5.00 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 950 mΩ - 0.9 Ω

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 400 pF

栅电荷 - - 18.0 nC

漏源击穿电压 600 V - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

通道数 1 - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 9.35 mm

高度 - 9.15 mm 4.6 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 1000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -