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STB8NM60T4

STB8NM60T4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STB8NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

The is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company"s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company"s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition"s products.

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100% Avalanche tested
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High dV/dt and avalanche capabilities
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Low gate input resistance
STB8NM60T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 5.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 4 V

输入电容 400 pF

栅电荷 18.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 400pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, 电源管理, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB8NM60T4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB8NM60T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB8NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STB8NM60T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB8NM60T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 650V 5A 900mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB8NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STB8NM60D

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 600V 8A 380pF

类似代替

N沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET

STB8NM60T4和STB8NM60D的区别

型号: STP8NM60D

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 N-CH 600V 8A

功能相似

N沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET

STB8NM60T4和STP8NM60D的区别