BF1212R,215、BF1212WR,115、BF1212WR对比区别

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型号 BF1212R,215 BF1212WR,115 BF1212WR

描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6VN沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

引脚数 4 4 -

封装 SOT-143 SOT-343-4 SOT-343

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

频率 400 MHz 400 MHz -

额定电流 30 mA 30 mA 30.0 mA

耗散功率 180 mW 180 mW -

漏源极电压(Vds) 6 V 6 V 6.00 V

增益 30 dB 30 dB -

测试电流 12 mA 12 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 180 mW 180 mW -

额定电压 6 V 6 V -

额定电压(DC) - - 6.00 V

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 mA

长度 3 mm 2.2 mm -

宽度 1.4 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-143 SOT-343-4 SOT-343

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free