MMBT4126LT1、MMBT4126LT1G、MMBT4126对比区别
型号 MMBT4126LT1 MMBT4126LT1G MMBT4126
描述 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP SiliconPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT4126 双极性晶体管, PNP -25V SOT-23
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 250 MHz 250 MHz
额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -25.0 V
额定电流 -200 mA -200 mA -500 mA
针脚数 - 3 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 225 mW 350 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V
最大电流放大倍数(hFE) 300 300 360
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW
直流电流增益(hFE) - 120 120
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 350 mW
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A -
长度 - 3.04 mm 2.92 mm
宽度 - 1.3 mm 1.3 mm
高度 - 1.11 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 3000 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99