MMBT4126LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -200 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT4126LT1G引脚图与封装图 
MMBT4126LT1G引脚图
MMBT4126LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT4126LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT4126LT1G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MMBT4126LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT4126LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -25V -200mA 300mW | 当前型号 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBT4126LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -25V -200mA | 完全替代 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | MMBT4126LT1G和MMBT4126LT1的区别 |
| 型号： MMBT4126LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP 0.3W | 类似代替 | 小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MMBT4126LT1G和MMBT4126LT3G的区别 |
| 型号： MMBT4126 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 350mW | 类似代替 | MMBT4126 PNP三极管 -25V -200mA/-0.2A 250MHz 120~360 -400mV/-0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 zf 通用放大器 | MMBT4126LT1G和MMBT4126的区别 |