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SPW12N50C3、SPW20N60C3、SPP04N80C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPW12N50C3 SPW20N60C3 SPP04N80C3

描述 酷MOS功率晶体管 COOL MOS POWER TRANSISTORINFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 560 V 650 V 800 V

额定电流 11.6 A 20.7 A 4.00 A

额定功率 - - 63 W

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 190 mΩ 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 208 W 63 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 560 V 650 V 800 V

漏源击穿电压 - 600 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 9.50 A 20.7 A 4.00 A

上升时间 8 ns 5 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 208 W 63 W

下降时间 8 ns 4.5 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 208W (Tc) 63W (Tc)

输入电容 - 2.40 nF -

栅电荷 - 114 nC -

长度 16.13 mm 16.13 mm 10 mm

宽度 5.21 mm 5.21 mm 4.4 mm

高度 21.1 mm 21.1 mm 15.65 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -