SPW12N50C3
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPW12N50C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 11.6 A
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPW12N50C3引脚图与封装图
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在线购买SPW12N50C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPW12N50C3 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS功率晶体管 COOL MOS POWER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号SPW12N50C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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