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SPW20N60C3

SPW20N60C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 20.7A


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SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE


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### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-247


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3


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SPW20N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

输入电容 2.40 nF

栅电荷 114 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

SPW20N60C3引脚图与封装图
SPW20N60C3引脚图

SPW20N60C3引脚图

SPW20N60C3封装图

SPW20N60C3封装图

SPW20N60C3封装焊盘图

SPW20N60C3封装焊盘图

在线购买SPW20N60C3
型号 制造商 描述 购买
SPW20N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPW20N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPW20N60C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF

当前型号

INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPW11N80C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 800V 11A

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封装： TO-247 N-Channel 560V 16A

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型号： SPB20N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO263-3 N-Channel 650V 20.7A 4.5nF

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