PSMN3R3-40YS,115、PSMN2R6-40YS,115、PSMN1R0-40YLDX对比区别
型号 PSMN3R3-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN1R0-40YLDX
描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN3R3-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 930 µohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 5
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
通道数 - - 1
针脚数 4 4 4
漏源极电阻 2.6 mΩ 0.002 Ω 0.00093 Ω
耗散功率 117 W 131 W 198 W
阈值电压 3 V 3 V 1.7 V
输入电容 2754 pF 3776 pF 8845 pF
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
上升时间 21 ns 22 ns 62 ns
输入电容(Ciss) 2754pF @20V(Vds) 3776pF @12V(Vds) 8845pF @20V(Vds)
下降时间 14 ns 15 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 117W (Tc) 131W (Tc) 198W (Tc)
额定功率(Max) 117 W 131 W -
长度 5 mm 5 mm 5.3 mm
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
宽度 4.1 mm 4.1 mm -
高度 1.1 mm 1.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅