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TLV2362IDR、TLV2362IDRE4、TLV2362ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2362IDR TLV2362IDRE4 TLV2362ID

描述 高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V

供电电流 1.75 mA 1.75 mA 1.75 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 85dB ~ 60dB 86 dB 85 dB

带宽 6.00 MHz 6.00 MHz 6 MHz

转换速率 3.00 V/μs 3.00 V/μs 3.00 V/μs

增益频宽积 7 MHz 7 MHz 7 MHz

输入补偿电压 1 mV 1000 µV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 5 V 5 V 2.5 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 2 V

输出电流 ≤20 mA - ≤20 mA

输入补偿漂移 0.00 V/K - 0.00 V/K

增益带宽 7 MHz - 7 MHz

共模抑制比(Min) 85dB ~ 90dB - 85 dB

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17