SPP20N65C3、STP23NM60N、STI23NM60ND对比区别

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型号 SPP20N65C3 STP23NM60N STI23NM60ND

描述 650V,20.7A,N沟道功率MOSFETN沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

耗散功率 208 W 150 W 150 W

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

上升时间 5 ns 15 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)

下降时间 4.5 ns 36 ns 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 190 mΩ 180 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 650 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 20.7 A 9.50 A -

额定功率(Max) 208 W 150 W -

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 20.7 A - -

输入电容 2.40 nF - -

栅电荷 114 nC - -

长度 10 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.65 mm 9.15 mm 10.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -