STP23NM60N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STP23NM60N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STP23NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP23NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP23NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP23NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 9.5A | 当前型号 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW23NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-Channel 600V 9.5A | 完全替代 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET | STP23NM60N和STW23NM60N的区别 |
| 型号： SPP20N65C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF | 功能相似 | 650V,20.7A,N沟道功率MOSFET | STP23NM60N和SPP20N65C3的区别 |
| 型号： STW23NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STP23NM60N和STW23NM60ND的区别 |