MMRF1008HSR5

NXP(恩智浦) 主动器件

RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780S

得捷:
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin NI-780S T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780S T/R

RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 275 W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1793

MMRF1008HSR5中文资料参数规格

技术参数

频率 1.03 GHz

输出功率 275 W

增益 20.3 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 695pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1008HSR5引脚图与封装图

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在线购买MMRF1008HSR5

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MMRF1008HSR5	NXP 恩智浦	RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V	搜索库存

替代型号MMRF1008HSR5

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MMRF1008HSR5 品牌： NXP 恩智浦封装： NI-780S	当前型号	RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V	当前型号
型号： MMRF1008HR5 品牌：恩智浦封装： NI-780	完全替代	RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V	MMRF1008HSR5和MMRF1008HR5的区别
型号： MRF6V12250HSR5 品牌：恩智浦封装： NI-780S	类似代替	RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1793	MMRF1008HSR5和MRF6V12250HSR5的区别
型号： MRF6V12250HSR3 品牌：恩智浦封装：	类似代替	Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50V	MMRF1008HSR5和MRF6V12250HSR3的区别