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R5016ANJTL、STB20NK50Z、STB20NK50ZT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R5016ANJTL STB20NK50Z STB20NK50ZT4

描述 MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PinN沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SC-83 D2PAK TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

极性 - N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 17A 17.0 A

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 17.0 A

漏源极电阻 - - 0.23 Ω

耗散功率 100 W - 190 W

阈值电压 - - 3.75 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

上升时间 50 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) - 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 190 W

下降时间 55 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) - 190W (Tc)

封装 SC-83 D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Not Recommended Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -