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MMBT3904LT1G、UMT3906T106、MMBT3904TT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904LT1G UMT3906T106 MMBT3904TT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFEUMT3906 系列 40 V 0.2 A 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SC-70ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SC-75-3

频率 300 MHz 250 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V -40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA -200 mA 200 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 225 mW 6.2 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 200 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 100 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 6200 mW 300 mW

额定功率 0.3 W 0.2 W -

增益频宽积 - 250 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

长度 2.9 mm 2 mm 1.65 mm

宽度 1.3 mm 1.25 mm 0.9 mm

高度 0.94 mm 0.8 mm 0.8 mm

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SC-75-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - NLR