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MMBT3904TT1G

MMBT3904TT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MMBT3904TT1G , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-416 SC-75封装


得捷:
TRANS NPN 40V 0.2A SC75 SOT416


立创商城:
NPN 双极晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V NPN


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MMBT3904TT1G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 40 V; 3-Pin SOT-416


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-416 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 30 hFE


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT416


DeviceMart:
TRANS GP SS NPN 40V SOT416


MMBT3904TT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.65 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MMBT3904TT1G引脚图与封装图
MMBT3904TT1G引脚图

MMBT3904TT1G引脚图

MMBT3904TT1G封装焊盘图

MMBT3904TT1G封装焊盘图

在线购买MMBT3904TT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBT3904TT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE 搜索库存
替代型号MMBT3904TT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT3904TT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-416 NPN 40V 200mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE

当前型号

型号: MMBT3904LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE

MMBT3904TT1G和MMBT3904LT1G的区别

型号: MMBT3904

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW

类似代替

通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

MMBT3904TT1G和MMBT3904的区别

型号: MMBT3904T

品牌: 安森美

封装: SC-75-3 NPN 300mW

类似代替

MMBT3904T系列 40 V 击穿 0.2 A NPN 外延硅 晶体管 - SOT-523F

MMBT3904TT1G和MMBT3904T的区别