PMBFJ177,215、J177,126、MMBFJ177LT1G对比区别

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型号 PMBFJ177,215 J177,126 MMBFJ177LT1G

描述 P 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 AMMORA FET-RFSSON SEMICONDUCTOR  MMBFJ177LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - - -25.0 V

额定电流 - - -20.0 mA

额定功率 - - 225 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

击穿电压 30.0 V - 30.0 V

漏源极电阻 300 Ω 300 Ω 300 Ω

极性 - - P-Channel

耗散功率 300 mW 300 mW 225 mW

输入电容 - - 11.0 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25.0 V

栅源击穿电压 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 20.0 mA

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs) 11pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 300 mW 400 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 225 mW

漏源击穿电压 30 V - -

长度 3 mm 4.8 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 4.2 mm 1.4 mm

高度 1 mm 5.2 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2019/01/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99