BUB323Z、BUB323ZG、BUB323ZT4G对比区别

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型号 BUB323Z BUB323ZG BUB323ZT4G

描述 NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power DarlingtonNPN硅达林顿功率高压Autoprotected D2PAK封装的表面贴装 NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface MountON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 W 150 W 150 W

输入电容 - - 550 pF

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 500 500 @5A, 4.6V 500 @5A, 4.6V

最大电流放大倍数(hFE) 3400 3400 3400

额定功率(Max) 150 W 150 W 150 W

直流电流增益(hFE) - 3 500

下降时间 - - 625 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 150000 mW 150000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.29 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 800 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99