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FDS9412A、IRF7201、IRF7201PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS9412A IRF7201 IRF7201PBF

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的30V , 8A , 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhmSOIC N-CH 30V 7.3AN沟道 30V 7.3A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 7.30 A 7.30 A

漏源极电阻 140 mΩ - 0.05 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5W (Tc) 2.5 W

产品系列 - IRF7201 IRF7201

阈值电压 - - 1 V

输入电容 - - 550pF @25V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.30 A 7.30 A

上升时间 13 ns 35 ns 35.0 ns

输入电容(Ciss) 985pF @15V(Vds) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

下降时间 12 ns 19 ns -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) -

长度 4.9 mm - 5 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 3.9 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -