IRF7201
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7201中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.30 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Tc
产品系列 IRF7201
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7201引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7201
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7201 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 7.3A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 7.3A | 当前型号 |
| 型号： IRF7201TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 7A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF7201和IRF7201TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7201PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 7.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7201PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V | IRF7201和IRF7201PBF的区别 |
| 型号： FDS9412A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 8A 140mohms | 功能相似 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 8A ， 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm | IRF7201和FDS9412A的区别 |